本機はバージョンアップのためMSP-40Tにモデルチェンジされました。
詳しくはMSP-40Tのページをご参照ください。

ＭＳＰ－３０Ｔ

この装置は多目的簡易操作型マグネトロンスパッタ成膜装置です。
小形卓上型・小スペース装置で、強磁場による多種金属の成膜が可能です。

必須ユーティリティについて
アルゴンガス
二次側圧力０．０５ＭＰａ～０．０８ＭＰａ、接続１／４インチスウェージロック

水冷機構
流量１リットル／ｍｉｎ、接続Φ６ｍｍスウェージロック
冷却水循環装置、又は水道水の接続が必要です。

特徴
MSP-30Tは多目的、多金属、実験用イオンスパッタ成膜装置です。スパッタし易い貴金属の他、Al, Cu, Cr, Ni, Mo, Ti, Ta, W等をターゲットとし、強磁場マグネトロン方式の電極により成膜が出来ます。

MSP-30Tのマグネトロン電極はターゲット金属表面に沿って外周から中心方向に磁場を作り、ターゲット全面を有効に利用できる様にしてあります。

MSP-30Tのマグネトロン電極は水冷冷却面にセットされスパッタ中も冷却されています。

MSP-30Tはターゲット電極の周囲に静電シールドを設けてターゲット面でのイオン密度を向上させています。静電シ－ルドは拡散するスパッタ粒子を試料台上に収斂させる効果があります。

スパッタ雰囲気ガスは、試料台下から全体にガスが行きわたるように噴出します。

MSP-30Tの試料台はアノードと絶縁したフローティング構造にしてありますので、コーティング中の電子が試料に流れ込まず、試料の温度上昇とイオンダメージを軽減しています。

MSP-30Tは真空排気系にダイアフラムポンプ（DFP）、ターボ分子ポンプ（TMP）を採用し、完全油フリーの清浄真空での高真空イオンスパッタを可能にしております。

MSP-30Tは雰囲気ガスの圧力調節をニードルバルブによって行い、圧力調節後は電磁バルブの開閉によって設定した圧力を再現させています。

主な製品仕様